NPM

Pîvana Berheman (mm)

Faktora sererastkirina frekansê

Rêzeya YMIN NPM: Sînorên Performansa Kondansatorê ji bo Amûrên Elektronîkî yên Asta Bilind Ji Nû Ve Pênasekirin

Di warên asta bilind de wekî ragihandina 5G, hewavanî û elektronîka bijîşkî, temenê û aramiya kapasîtorên elektrolîtîk ên kevneşopî bûne astengên pergalê. Zîrveya NPM ya kapasîtorên elektrolîtîk ên zexm ên polîmer-aluminumê yên YMIN, bi qûtra herî piçûk a cîhanê ya 3.55 mm, rêjeya germahiya xebitandinê ya asta leşkerî ya ji -55°C heta 105°C, û ESR-ya pir kêm li 100kHz, ji bo sêwiranên elektronîkî yên densiteya bilind ên nifşê pêşerojê pîvanek nû destnîşan dike.

I. Pêşketinên Teknolojîk ên Têkder

1. Teknolojiya Polîmer a Guhêrbar a Nanopîlî
• Performansa Frekansa Bilind a Şoreşger:

Bi karanîna polîmerên guhêrbar ên di asta nanoyê de ji bo şûna elektrolîtên kevneşopî, kapasîtor ESR-yek bi qasî 0.015Ω li 100kHz (modela 6.3V/270μF) bi dest dixin, û li gorî kapasîtorên elektrolîtîk ên şile, xerckirina enerjiyê %80 kêm dikin. Kapasîteya vegirtina herika pêlên frekanseke bilind pênc qat zêde dibe, û pirsgirêka dengbêjiyê di guheztina dabînkirina hêzê de bi tevahî ji holê radike.

• Mekanîzmaya ewlehiyê ya xwe-saxkirinê:

Di rewşa voltaja zêde de, zincîrên molekulî yên polîmer ji nû ve têne rêxistin kirin da ku tebeqeyek xwe-başkirinê çêbikin, û xetera teqîna ji ber kêmbûna elektrolîta kapasîtorê şil kêm dikin. Li gorî standardên IEC 60384-24, rêjeya têkçûna kurteçûnan ji 0.001 ppm kêmtir e.

2. Lihevhatina bi jîngehên dijwar re

• Rêzeya germahiyê ya fireh, standarda leşkerî:

Guhertina berxwedana germahiyê di germahiya nizm a -55°C de ≤7.2x e (navînîya pîşesaziyê 15x), û kêmbûna kapasîteyê piştî pîrbûna bilez di 105°C de ji bo 2000 demjimêran ≤8% e. • Avahiya Parastina Duqat:

• Pêvajoya çêkirina bi vakumê li hember şilbûna bilind heta %98 RH (zêdebûna ESR ≤ %35 piştî ceribandina 60°C/1000h) berxwe dide.

• Çîna lavaboya germê ya kompozît a qalikê aluminum-polîmer rê li ber guhêrbarîya germê digire heta 8.3W/mK.

3. Miniaturîzasyona rekorşikêner

• Rêjeya aliyên herî biçûk a cîhanê 3.55×11mm:

Bi destxistina kapasîtasyona 220μF (6.3V) di nav şopa Φ3.55mm de, li gorî pakêtên SMD yên kevneşopî %78 cîh teserûf dike. Pin têla sifir a zêrkirî ya ultra-tenik a 0.4mm bikar tînin, û ceribandina şoka mekanîkî ya 20G (MIL-STD-883H) derbas dikin.

• Pêvajoya Komkirina 3D:

Pelêya alumînyûmê ya anodîzekirî bi teknolojiya nano-gravurkirinê tê dermankirin, ku di encamê de rûberek bi bandor a 120m²/g çêdibe, û dendika kapasîteyê li gorî pêvajoyên kevneşopî %300 zêde dike.

II. Analîza Parametreyên Teknîkî yên Sereke

1. Modela Windakirina Frekansa Bilind

P_{windakirin} = I_{rms}^2 × ESR_{100kHz} + (2πfC)^2 × ESL^2

Dema ku f > 100kHz, bandora ESL dadikeve 1/6 ya kapasîtorên kevneşopî. Modela 50V/22μF wekî mînak bigirin:
• Parastina kapasîteya bi bandor a 98.3% li 500kHz

• Kapasîteya hilgirtina herika pêlê 2.8 caran ji standarda pîşesaziyê zêdetir e

2. Matrîksa Lihevhatina Jîngehê
Standardên Testa Şert û Mercên Stresê Performansa NPM Navînîya Pîşesaziyê

Çerxa Germahîyê (-55°C heta 105°C) MIL-STD-202G ΔC/C ≤ ±5% ±15%

Lerizîna Mekanîkî (10-2000Hz) GJB150.16A Cihêrengiya Xala Rezonansê <0.1mm 0.3mm

Korozyona Spraya Xwêyê (96h) IEC 60068-2-11 Qada Korozyona Serî <2% 8%

3. Modela Jiyana Lezgîn

Li gorî Qanûna Arrhenius hatiye wergirtin:

L_{rastî} = L_{test} × 2^{(T_{test} - T_{rastî})/10}

Testa 105°C/2000h temenê jiyanê yê wekhev ê 128,000 saetan (≈15 sal) di 25°C de dide.

Çima rêzefîlma NPM hilbijêrin?

Dema ku sêwirana we rû bi rû ye:

✅ Dengê kondensatorê di devreyên frekansa bilind de
✅ Têkçûna sîstemê ji ber cudahîyên germahiyê yên zêde
✅ Miniaturîzasyon û pêbaweriya bilind nikarin di heman demê de werin bidestxistin
✅ Pêdivî bi xebitandina bê parastin ji bo zêdetirî deh salan heye

Rêzeya YMIN NPM, bi pêbaweriya xwe ya asta leşkerî, piçûkkirina xwe ya rekorşikêner, û adaptebûna germahiyê ya pir fireh, bûye kevirê bingehîn ê sêwirana elektronîkî ya asta bilind. Bi pêşkêşkirina vegirtina voltaja tevahî ji 6.3V/270μF heta 100V/4.7μF, piştgirî dide:

• Xwesazkirina parametreyan (rastbûna kapasîteyê ±% 5)

• Ji nû ve mîhengkirina pakêtê (entegrasyona heterojen a stacking a 3D)

• Verastkirina hevbeş (ceribandina adaptebûna jîngehê)